碳化硅（SiC）是一种高性能的第三代半导体和先进陶瓷材料，凭借其高硬度、高热导率、耐高温、抗腐蚀等优异特性，已广泛应用于半导体、新能源汽车、光伏储能、航空航天等多个高技术领域。
碳化硅产品主要分为两大类：碳化硅半导体材料 和 碳化硅陶瓷制品。
碳化硅半导体材料
以高纯度单晶碳化硅为基底，用于制造功率器件和射频器件。
导电型碳化硅衬底：主要用于制造功率器件，如SiC MOSFET、肖特基二极管等，广泛应用于电动汽车、充电桩、光伏逆变器等领域 。
半绝缘型碳化硅衬底：用于制造氮化镓射频器件，应用于5G基站、雷达系统等高频通信场景 。
尺寸演进：行业正从6英寸向8英寸、12英寸衬底升级，提升晶圆利用率、降低成本 。
碳化硅陶瓷制品
通过反应烧结、热压烧结等工艺制成，具有高强度、耐磨损、耐腐蚀等特点。
常见产品包括：高温窑具、热交换器、防弹装甲、机械密封环、空间反射镜等 。
在冶金、化工、航空航天等领域作为关键结构件使用。
